化学学报 ›› 2000, Vol. 58 ›› Issue (11): 1345-1348. 上一篇 下一篇
研究论文
殷平;陈先阳;姚天扬;居冠之;李重德;忻新泉
Yin Ping;Chen Xianyang;Yao Tianyang;Ju Guanzhi;Li Zhongde;Xin Xinquan
在6-311+G^*基组水平上用CISD(configurationinteractionwithsinglyanddoublyexcitedconfigurations)方法研究HX(X=Li-F,HBe)体系电子对内、对间的相关能。计算结果表明不同元素形成的HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系,其价层电子对内、对间相关能的变化较大,它们之间存在着轨道差别,不宜将其相关贡献归为简单的常数。在使用相同理论方法和相同质量基组的前提下,电子数将直接影响到电子对间相关能的大小。对于多电子体系,电子对间相关在总相关中占有优势,若将其忽略会引起较大误差。
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