不同疏水基表面活性剂溶剂化的电子结构特征

化学学报 ›› 2004, Vol. 62 ›› Issue (19): 1948-1950. 上一篇下一篇

研究简报

不同疏水基表面活性剂溶剂化的电子结构特征

颜肖慈¹, 罗明道¹, 曾晖¹, 张高勇^1,2

1. 武汉大学化学与分子科学学院, 武汉, 430072;
2. 中国日用化学工业研究院, 太原, 030001

投稿日期:2003-11-01 修回日期:2004-05-30 发布日期:2014-02-17
通讯作者: 颜肖慈,E-mail:YXC0008@163.com;Fax:027-87647617. E-mail:YXC0008@163.com
基金资助:
国家重大基础(973)预研基金(No.2001CCC01300)资助项目.

Study on Characters of Electronic Structures for Anionic Surfactants with Different Hydrophobic Bases in Gas and Solvent Using Onsager Model and ab initio Method

YAN Xiao-Ci¹, LUO Ming-Dao¹, ZENG Hui¹, ZHANG Gao-Yong^1,2

1. College of Chemistry and Molecular Sciences, Wuhan University, Wuhan 430072;
2. China Research Institute of Daily Chemical Industry, Taiyuan 030001

Received:2003-11-01 Revised:2004-05-30 Published:2014-02-17

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摘要/Abstract

用从头算法RHF/6-31G*和Onsager溶剂模型分别优化了不同疏水端基表面活性剂阴离子溶剂化前后的几何构型,得到气态和溶剂化的总能量、电荷分布、偶极矩、极化能等.比较了它们溶剂化前后的构型变化和电子结构特征.在RHF/6-31G*平台上探讨了不同疏水端基影响阴离子表面活性剂表面张力的内在原因.

关键词: 不同疏水基表面活性剂, 从头算, Onsager模型, 表面张力

The geometries of the anionic surfactants with different hydrophobic bases in gas and water were optimized using RHF/6-31G^* and Onsager reaction field model, respectively. The total energies, net charges, dipole moments and polarization energies of the surface-active anions were obtained in gas and water. The characters of geometries and electronic structures for the surface-active anions in gas and water were compared. The effect of the different hydrophobic bases on the surface tension was also investigated.

Key words: anionic surfactant with different hydrophobic base, ab initio, Onsager model, surfactant tension

引用此文

颜肖慈, 罗明道, 曾晖, 张高勇. 不同疏水基表面活性剂溶剂化的电子结构特征[J]. 化学学报, 2004, 62(19): 1948-1950.

YAN Xiao-Ci, LUO Ming-Dao, ZENG Hui, ZHANG Gao-Yong. Study on Characters of Electronic Structures for Anionic Surfactants with Different Hydrophobic Bases in Gas and Solvent Using Onsager Model and ab initio Method[J]. Acta Chimica Sinica, 2004, 62(19): 1948-1950.

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