[1] Tonucci, R. J.; Justus, B. L.; Campillo, A. J.; Ford, C. E. Science 1992, 258, 783. [2] Routkevitch, D.; Tager, A. A.; Haruyama, J.; Almawlawi, D.; Xu, J. M. IEEE Trans. Electron Devices 1996, 43, 1646. [3] Li, W. Z.; Xie, S. S.; Qian, L. X.; Chang, B. S.; Zhou, W. Y.; Zhao, R. A.; Wang, G. Science 1996, 274, 1701. [4] Petkov, N.; Mintova, S.; Karaghiosoff, K.; Bein, T. Mater. Sci. Eng. C 2003, 23, 145. [5] Ren, Z. F.; Huang, Z. P.; Xu, J. W.; Wang, J. H.; Bush, P.; Siegal, M. P.; Provencio, P. N. Science 1998, 282, 1105. [6] Fan, S.; Chapline, M. Y.; Franklin, N. R.; Tombler, T. W.; Cassell, A. M.; Dai, H. Science 1999, 283, 512. [7] Huang, S.; Dai, L.; Mau, A. W. H. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 4223. [8] Kim, M. J.; Choi, J. H.; Park, J. B.; Seong, K.; Park, C. Y. Thin Solid Films 2003, 435, 312. [9] Lee, J. S.; Gu, G. H.; Kim, H.; Suh, J. S.; Park, G. S. Synth. Met. 2001, 124, 307. [10] Wang, N.; Tang, Z. K.; Li, G. D.; Chen, J. S. Nature 2000, 408, 50. [11] Bao, J. C.; Tie, C. Y.; Xu, Z.; Suo, Z. Y.; Zhou, Q. F.; Hong, J. M. Adv. Mater. 2002, 14, 20, 1483. |