化学学报 ›› 2010, Vol. 68 ›› Issue (12): 1153-1160. 下一篇
研究论文
林海1,盛敏奇1,钟庆东*,1,2,周琼宇1,王毅1,2,钮晓博2
Lin Hai1 Sheng Minqi1 Zhong Qingdong*,1,2 Zhou Qiongyu1 Wang Yi1,2 Niu Xiaobo2
利用阵列微电极技术测量了金属铜的自腐蚀电位、阻抗及表面腐蚀产物膜层载流子密度, 并结合扫描电子显微镜, 研究了Nd3+对金属铜在3.5% (w) NaCl溶液中腐蚀电化学行为的影响. 结果表明, 加入Nd3+使得金属铜表面生成的腐蚀产物膜层的形貌及结构发生了变化, 腐蚀产物膜层变薄, 腐蚀产物由片状结构转变为粒状结构, 颗粒均匀分散分布; Nd3+的存在使得金属铜表面各区域的电位方差由0.034下降为0.026, 阻抗标准方差由32805下降为6940, 电位及阻抗分布趋于均匀化, 有利于抑制局部腐蚀的发生; 并且加入Nd3+将造成金属铜表面绝大部分区域腐蚀产物膜层的半导体类型由n型转变为p型, 表面腐蚀产物膜层载流子密度标准方差由1.89×1017上升为4.10×1017, 载流子密度分布趋于不均匀.