化学学报 ›› 2011, Vol. 69 ›› Issue (23): 2801-2806.DOI: 10.6023/A1103241 上一篇 下一篇
研究论文
张胜寒, 檀玉*, 梁可心
ZHANG Sheng-Han, TAN Yu, LIANG Ke-Xin
核电站采用Zn2+注入技术减少一回路镍基材料的应力腐蚀和辐射污染. 向高温水中添加微量Zn2+制备Inconel600合金表面氧化膜, 用光电化学响应技术和容抗测量技术研究Zn2+对氧化膜半导体性质的影响. 光电化学响应结果表明, 氧化膜中不同氧化相的特征带隙宽度分别为Fe2O3 2.2 eV, Cr2O3 3.5 eV, FexNi1-xCr2O4 4.1 eV和ZnO 3.2 eV|在开路电压下, 无Zn2+参与生成的氧化膜表现阴极光电流响应, 有Zn2+参与生成的氧化膜表现阳极光电流响应. Mott-Schottky结果表明, 有Zn2+参与生成的氧化膜平带电位较负, 相同极化电压下 (CSC空间电荷电容)值较大. 高温水中添加微量Zn2+离子, 能够改变Inconel600合金表面氧化膜的半导体性质. 光电化学响应法是检测氧化膜中微量氧化相的一种灵敏且有效的方法.
中图分类号: