化学学报 ›› 2011, Vol. 69 ›› Issue (23): 2781-2786.DOI: 10.6023/A1105031 上一篇 下一篇
研究论文
董江舟1, 赵峻岩1, 巢晖2, 曹亚安*,1
Dong Jiangzhou1; Zhao Junyan1; Chao Hui2; Cao Yaan*,1
采用离子束溅射方法制备出TiO2/ITO, Zr4+掺杂的TiO2(TiO2-Zr)/ITO和ZrO2/TiO2/ITO复合薄膜. 利用表面敏化方法制备出(1,10-邻菲咯啉)2(3,4,5-三氟苯基)咪唑并[5,6-f]邻菲咯啉钌混配配合物[Rup2O](p=1,10-邻菲咯啉, O=(3,4,5-三氟苯基)咪唑并[5,6-f]邻菲咯啉)/TiO2/ITO, Rup2O/TiO2-Zr/ITO和Rup2O/ZrO2/TiO2/ITO表面敏化TiO2基复合薄膜. 表面光电压谱(SPS)表明, 表面敏化TiO2基复合薄膜在400~600和350 nm产生的SPS响应峰的峰高比与TiO2基复合薄膜的结构密切相关. 利用电场诱导表面光电压谱(EFISPS)确定了复合薄膜的能带结构, 其结果分析表明, 400~600 nm的SPS响应峰主要源于Rup2O分子的中心离子Ru 4d能级到配体邻菲咯啉p1*和配体咪唑并邻菲咯啉p2*跃迁|TiO2禁带内Zr4+掺杂能级的存在减小了光生载流子的复合, 增加导带光生电子的数量|ZrO2/TiO2异质结构的存在有利于光生电子向ITO表面的转移, 从而导致400~600 nm和350 nm SPS响应峰的峰高比的增加, 意味着光致电荷转移效率的提高.