水热法制备低维氮化硼纳米结构的研究进展

doi:10.6023/A18110456

化学学报 ›› 2019, Vol. 77 ›› Issue (4): 316-322.DOI: 10.6023/A18110456 上一篇下一篇

综述

水热法制备低维氮化硼纳米结构的研究进展

王海旭^a,b, 杨光^a,c, 程天舒^a,c, 王宁^a, 孙蓉^a, 汪正平^d

a 中国科学院深圳先进技术研究院深圳 518055;
b 深圳大学材料学院深圳 518060;
c 中国科学技术大学纳米科学技术学院苏州 215123;
d 美国佐治亚理工学院亚特兰大 30332 美国

投稿日期:2018-11-07 发布日期:2018-12-14
通讯作者: 王宁, 孙蓉 E-mail:ning.wang@siat.ac.cn;rong.sun@siat.ac.cn
作者简介:王海旭,深圳大学在读硕士研究生,现联合培养于中国科学院深圳先进技术研究院,研究方向为纳米氮化硼制备与应用;杨光,中国科学院深圳先进技术研究院客座学生,中国科学技术大学在读硕士研究生.主要从事二维纳米材料的研究;程天舒,中国科学技术大学在读研究生,现于中国科学院深圳先进技术研究院联合培养,主要研究方向为功能纳米材料制备与应用;王宁,中国科学院深圳先进技术研究院助理研究员,博士毕业于新加坡南洋理工大学材料学院.目前主要从事二维氮化硼在先进电子封装材料中的研究.作为第一作者或通讯作者,已在Materials Today,Advanced Materials Interfaces,Journal of Materials Chemistry C,Journal of Colloid and Interface Science,Frontiers in Chemistry,Langmuir等国际学术期刊上发表SCI论文20多篇.
基金资助:
项目受科技部国家重点研发计划（No.2017YFB0406200）和深圳市学科布局项目（No.JCYJ20150831154213681）资助.

Recent Advances in Hydrothermal Synthesis of Low Dimensional Boron Nitride Nanostructures

Wang Haixu^a,b, Yang Guang^a,c, Cheng Tianshu^a,c, Wang Ning^a, Sun Rong^a, Wong Ching-Ping^d

a Shenzhen Institutes of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen 518055;
b College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060;
c Department of Nano Science and Technology Institute, University of Science and Technology of China, Suzhou 215123;
d School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA

Received:2018-11-07 Published:2018-12-14
Contact: 10.6023/A18110456 E-mail:ning.wang@siat.ac.cn;rong.sun@siat.ac.cn
Supported by:
Project supported by the National Key R&D Project from Ministry of Science and Technology of China (No. 2017YFB0406200) and R&D Funds for basic Research Program of Shenzhen (No. JCYJ20150831154213681).

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摘要/Abstract

作为一种宽禁带绝缘材料，氮化硼由于其高导热性、强化学惰性和高热稳定性在热界面材料、光催化和电催化以及储能材料方面引起了广泛的研究兴趣.低维氮化硼纳米结构，如二维纳米片、一维纳米管、纳米棒、纳米线、零维纳米球和量子点等，具有高热导率（600 W/mK）和超宽带隙（5～6 eV），在高导热复合材料、热电材料及电子封装材料等领域具有很好的应用前景，其制备技术及相关性能研究是近年来材料科学领域的热点之一.主要详述了目前水热法制备低维氮化硼（BN）纳米结构的研究进展及存在的问题，并指出深入研究合成机理、研发新型水热制备方法将是今后本领域的重点研究方向.

关键词: 氮化硼, 水热合成, 热导率, 纳米结构, 电子封装

As an ultra-wide bandgap insulating material, boron nitride has attracted intense interest due to its high thermal conductivity, high chemical and thermal stability as well as their applications in thermal interface materials, photo/electro-catalysis, and energy storage. As for the low dimensional boron nitride nanostructures, e.g., nanosheets, nanotubes, nanorods, nanowires, nanospheres, and quantum dots, the high thermal conductivity (600 W/mK) and the ultra-large bandgap (5~6 eV) make them the promising candidate for thermal conductive composites, thermoelectric materials and electronic packaging materials, which gives rise to the hot research topic on the synthesis and properties of the boron nitride nanostructures. In this review, the recent advances in the hydrothermal synthesis of boron nitride nanostructures will be fully discussed, and the remarks on the issues need to be addressed, the comprehensive understanding of the mechanism and the new approaches for the hydrothermal synthesis will be proposed in the end.

Key words: boron nitride, hydrothermal synthesis, thermal conductivity, nanostructure, electronic packaging

引用此文

王海旭, 杨光, 程天舒, 王宁, 孙蓉, 汪正平. 水热法制备低维氮化硼纳米结构的研究进展[J]. 化学学报, 2019, 77(4): 316-322.

Wang Haixu, Yang Guang, Cheng Tianshu, Wang Ning, Sun Rong, Wong Ching-Ping. Recent Advances in Hydrothermal Synthesis of Low Dimensional Boron Nitride Nanostructures[J]. Acta Chim. Sinica, 2019, 77(4): 316-322.

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