采用循环伏安法在氮气饱和的1 mol/L KOH和1 mol/L KOH+1 mol/L EG溶液中评估了材料的电化学性能(支持信息图S3). 发现材料中不含有Pd时, Ni/HfO
2-O
v和Ni/HfO
2对EGOR均未呈现出明显的反应活性, 表明材料的主要催化活性位点是Pd. 如
图4a所示, 催化剂的活化过程最初是在氮气净化的1 mol/L KOH溶液中进行. 0.6~1.0 V vs. RHE区域中出现明显的Pd氧化峰, 1.0~0.5 V vs. RHE则是PdO还原峰. 与PdNi/HfO
2和Pd/C相比, PdNi/HfO
2-O
v的PdO还原峰向低电位分别偏移了8 mV和14 mV (
图4b), 这是由于催化剂表面与OH
ads结合力增加, 有助于加速EG氧化
[25]. 此外, PdNi/HfO
2-O
v的PdO还原峰面积最大, 表明其参与催化的活性位点最多, 催化剂的电化学活性比表面积最大. 将PdO还原峰积分可得PdNi/HfO
2-O
v的电化学活性比表面积(ECSA)值为26.61 m
2/g分别是PdNi/HfO
2 (17.3 m
2/g)、Pd/C (8.6 m
2/g)的1.54、3.09倍(
图4c). 在1 mol/L KOH+1 mol/L EG中检测了乙二醇的氧化过程(
图4d), 在正向扫描的循环伏安(CV)曲线中出现吸附反应物的氧化峰, 而反向信号中的峰则对应于快速去除氧化过程生成的碳物质
[26]. PdNi/HfO
2-O
v催化剂具有最负的起始电位(0.3 V), 相比于PdNi/HfO
2和商业Pd/C催化剂分别减小了199 mV和167 mV, 表明其具有最低的EG氧化电位(
图4e). CV曲线负移可归因于氧空位的存在, 这增强了PdNi合金纳米颗粒与HfO
2之间的强相互作用, 进而形成了低电子密度的Pd. 这种缺电子结构有效降低了EGOR能垒, 导致氧化曲线的起始电位负移. 众所周知, Pd基合金催化剂易受CO毒化而使催化活性降低. 因此, 本工作在1 mol/L KOH电解质溶液中对所制备的材料进行抗CO毒化能力测试(支持信息图S4). PdNi/HfO
2-O
v的CO氧化峰电位位于0.78 V vs. RHE, 比PdNi/HfO
2 (0.81 V vs. RHE)和商业Pd/C (0.87 V vs. RHE)分别提前30 mV和90 mV, 显示出更优异的抗CO中毒能力, 这可归因于HfO
2载体中丰富的氧空位促进了催化剂在更低电位下进行CO
ads氧化. 此外, 本工作还总结了正向峰值电流密度(
If)与反向峰值电流密度(
Ib)之间的比值, 用以进一步反映催化剂的抗中毒能力. 如
图4f所示, PdNi/HfO
2-O
v (
If/
Ib=1.01)>PdNi/HfO
2 (
If/
Ib=0.92)>Pd/C (
If/
Ib=0.7). 综上所述, PdNi/HfO
2-O
v表现出优异的抗CO中毒能力, 这可归因于氧空位的存在及其独特的电子效应.
图4g显示, PdNi/HfO
2-O
v的峰值电流密度(MA)为10.28

, 显著高于PdNi/HfO
2 (5.08

)和Pd/C (1.36

). 同时, PdNi/HfO
2-O
v的比活性(SA)达到38.6 mA•cm
-2, 相比于PdNi/HfO
2 (17.3 mA•cm
-2)和Pd/C (15.8 mA•cm
-2), 增强了2.23及2.55倍. 不仅如此, 本工作还将PdNi/HfO
2- O
v催化剂与前人报道的催化剂的EGOR性能进行了比较(
图4h)
[4,11,25,27-34], 结果显示, 本研究所制备的催化剂具有较好的电氧化性能.