化学学报 ›› 2006, Vol. 64 ›› Issue (4): 283-286. 上一篇 下一篇
研究论文
郝彦忠*,1,2,蔡春立2
HAO Yan-Zhong*,1,2, CAI Chun-Li2
用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了铟锡导电玻璃(ITO)/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)膜电极以及ITO/TiO2/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)复合膜电极的光电转换性质. 结果表明, CTCHT膜为p-型半导体, 禁带宽度为2.44 eV, 价带位置为-5.73 eV. 研究表明在ITO/TiO2/CTCHT复合膜电极中存在p-n异质结, p-n异质结的存在能够使光生电子和空穴有效的分离, 有效地降低了电荷的反向复合几率, 提高了光电转换效率, CTCHT膜修饰ITO/TiO2电极可使光电流增强, 使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到改善.