采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法, 研究了C, Si, Ge, Sn, Pb合金化对VH2的电子结构和解氢性能的影响. 计算结果显示C, Si, Ge, Sn, Pb合金化VH2后晶体模型的负合金形成热减少, 费米能级Ef处的电子浓度N(Ef)增加, 表明体系结构稳定性减弱, 解氢能力增强|V-H之间重叠集居数和电子密度计算也表明V-H之间相互作用减弱, 解氢能力增强|同时Mulliken集居数计算结果还显示掺杂以后解氢能力增强与V-d轨道Mulliken集居数减少, V-s轨道Mulliken集居数增加有关.
引用此文
李荣, 罗小玲, 梁国明, 付文升. 合金化对VH2解氢性能的影响[J]. 化学学报, 2011, 69(11): 1327-1336.
LI Rong, LUO Xiao-Ling, LIANG Guo-Ming, FU Wen-Sheng. Influence of Dopants on the Dehydrogenation Properties of VH2[J]. Acta Chimica Sinica, 2011, 69(11): 1327-1336.
导出引用 EndNote|Reference Manager|ProCite|BibTeX|RefWorks