高效的反向系间窜越(RISC)过程是实现TADF分子高激子利用率的关键. 根据马库斯理论(公式(1)), RISC速率(
kRISC)与单重态-三重态能隙(Δ
EST)成反比, 并与相关态之间的自旋轨道耦合(SOC)矩阵元的平方成正比. 因此, 同时获得小的与大的SOC值是实现高效TADF的核心目标. 基于
图5所示的能级与SOC数据, 本研究中的分子展现了不同的特性. 原型分子3Ph-SPT的Δ
EST为0.020 eV, SOC值为0.082 cm⁻¹. 当将其外围中性基团由三联苯替换为金刚烷苯基后, Ph2Ad-SPT的Δ
EST显著降低至-0.007 eV. 这种Δ
EST的反转源于金刚烷苯基的引入进一步增强了HOMO与LUMO的空间分离, 使得交换积分降至极低; 同时, 自旋极化效应可能相对稳定了S
1态
[35]. 值得注意的是, 负的Δ
EST意味着从T
1到S
1的反向系间窜越(RISC)是一个热力学自发的放热过程, 原则上更有利于激子的上转换. 同时其SOC值增大至0.086 cm⁻
1. 这一结果表明, 中性基团工程(引入金刚烷苯基)能有效减小S
1与T
1态的能量差并增强其耦合, 为加速RISC过程创造了相对有利的条件. 相比之下, 在Ph2Ad-SPT骨架上进一步进行的给体原子工程(O→2(-CH
3)或O→S)则呈现出不同的效果. Ph2Ad-SDT(O→2(-CH
3))和Ph2Ad-SST(O→S)的Δ
EST分别为0.063 eV和0.019 eV, 均大于Ph2Ad-SPT, 但其两者的S
1和T
1间的SOC值变化趋势不一样, 前者降为0.054 cm
−1, 后者增大为0.132 cm
−1. 这表明, 原子替代改变了给体单元的电子性质, 虽然并未在减小Δ
EST带来优化, 但是Ph2Ad-SST却在增大SOC方面带来优势, 其SOC值显著大于其它三个分子, 并且其Δ
EST值也略小于原型分子3Ph-SPT, 这可能对RISC过程产生有利影响. 此外, 为评估是否存在多通道RISC路径, 我们分析了T
2态能级. 3Ph-SPT和Ph2Ad-SPT的T
2态能量分别比其S
1态高0.428 eV和0.447 eV, 能隙过大, S
1↔T
2通道对RISC的贡献可忽略. Ph2Ad-SDT和Ph2Ad-SST的S
1-T
2能隙分别降至0.257 eV和0.353 eV, 虽较原型分子有所降低, 但仍显著大于其S
1-T
1能隙(0.063 eV和0.019 eV). 在典型工作温度下, T
2态热布居概率极低, 多通道RISC效应不显著, 主要RISC通道仍为S
1-T
1. 因此, 后续研究聚焦于核心激发态S
1和T
1态. 综上所述, 能级与SOC分析清晰地揭示了不同分子工程策略的差异化效果: 中性基团工程(引入金刚烷苯基)策略能同时实现Δ
EST的减小和SOC的有效增强, 这从电子结构层面说明Ph2Ad-SPT可能获得比原型分子优异TADF性能. 而给体原子工程差异比较大, Ph2Ad-SDT既增大了Δ
EST也降低了SOC值, 这对于高效的RISC过程不利, 而Ph2Ad-SST获得了比原型分子略小的Δ
EST和增大的SOC, 这将促进RISC过程.