化学学报 ›› 2008, Vol. 66 ›› Issue (5): 571-575. 上一篇 下一篇
研究论文
李倩倩,黄健涵,刘素琴,关鲁雄,黄可龙
LI Qian-Qian, HUANG Jian-Han, LIU Su-Qin, GUAN Lu-Xiong, HUANG Ke-Long*
以对甲苯磺酸为掺杂剂, 三氯化铁为氧化剂, 化学氧化吡咯制备了对甲苯磺酸掺杂聚吡咯. 考察了掺杂剂与氧化剂的用量对掺杂聚吡咯电导率的影响, 得到了高电导率聚吡咯的优化条件, 用UV, IR和SEM对其结构和形貌进行了表征. 结果表明, n(对甲苯磺酸)∶n(吡咯)∶n(三氯化铁)=0.75∶1∶0.5时, 合成的聚吡咯的形貌规则, 电导率达42.7 S•cm-1. 以聚吡咯为功能成分, 环氧树脂为成膜物质, 得到一种功能膜, 旋涂于金属镁表面, 采用极化曲线和开路电位考察了含有聚吡咯的膜层对金属镁的防腐蚀性能. 结果表明, 含有聚吡咯的膜层对金属镁有很好的防腐蚀性能, 腐蚀电流为0.0981 A, 腐蚀电位为-0.88 V, 在膜层与金属镁之间形成了一层钝化膜.