化学学报 ›› 2009, Vol. 67 ›› Issue (8): 756-760. 上一篇 下一篇
研究论文
李文佐*,a 程建波*,a 宫宝安a 于健康a,b 孙家钟a,b
(a烟台大学化学生物理工学院 烟台 264005)
(b吉林大学理论化学计算国家重点实验室 长春 130012)
Li, Wenzuo *,a Cheng, Jianbo *,a Gong, Baoan a Yu, Jiankang a,b Sun, Jiazhong a,b
采用DFT B3LYP和QCISD方法研究了类硅烯H2C=SiLiBr与RH (R=F, OH, NH2)的插入反应. 在B3LYP/6- 311+G(d,p)水平上优化了反应势能面上的驻点构型. 结果表明, H2C=SiLiBr与HF, H2O或NH3发生插入反应的机理相同. QCISD/6-311++G(d,p)//B3LYP/6-311+G(d,p)计算的三个反应的势垒分别为148.62, 164.42和165.07 kJ8226;mol-1, 反应热分别为-69.63, -43.02和-28.27 kJ8226;mol-1. 相同条件下发生插入反应时, 反应活性都是H—F>H—OH>H—NH2.