化学学报 ›› 2005, Vol. 63 ›› Issue (6): 460-464. 上一篇 下一篇
研究论文
陈安尚,李亚明*,张华
CHEN An-Shang, LI Ya-Ming*, ZHANG Hua
用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、循环伏安法(CV)、微分脉冲伏安法(DPV)等手段研究了4个4-N,N-二苯胺基均二苯乙烯类化合物的光电性能, 计算出它们的电离势(PI)在5.70~5.90 eV, 带隙值(Eg)在2.78~2.88 eV, 分析了电化学行为, 讨论了取代基对吸收光谱、发射光谱和电子结构的影响. 结果表明, 引入供电子基团OCH3后, 分子氧化电位降低, HOMO能量升高, 电离势降低; 引入吸电子基团—Cl后, 氧化电位升高, LUMO能量降低, 电子亲和势增加. 取代基—Cl和—OCH3都使化合物的带隙(Eg)减小, 紫外-可见光谱的吸收峰和荧光光谱的发射峰均发生红移.