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有机化学 ›› 2000, Vol. 20 ›› Issue (4): 529-532. 上一篇    下一篇

研究论文

用于电子传输材料的含噻吩环噁二唑衍生物的合成

张志明;李国文;马於光;吴芳;田文晶;沈家骢   

  1. 吉林大学超分子结构与谱学开放实验室
  • 发布日期:2000-08-25

synthesis of novel oxadiazole dimer derivatives containing thiophene ring as electron transfer materials in OEL devices

Zhang Zhiming;Li Guowen;Ma Yuguang;Wu Fang;Tian Wenjing;Shen Jiacong   

  • Published:2000-08-25

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723

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154

在有机电致发光器伯研究中，电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存在的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性，噁二唑衍生物是常见的电子传输材料，如：2-(4-叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD)，但容易结晶和低的电子? 缀托韵拗屏怂挠τ谩Ｎ说玫叫碌挠行У牡缱哟洳牧希疚囊脏绶晕鹗挤从ξ锞獯Ⅳ人峄Ⅴセ苯獾炔街韬铣闪肃绶远ｋ拢偻ü绶远ｋ掠胂嘤Φ娜〈郊柞Ｂ人鹾稀⒐鼗返姆椒ń坏缱拥泥绶曰泛透叩缱忧缀托缘泥绶曰吠币耄铣闪巳中碌暮绶曰穱f二唑衍生物2,5-双[2,2'-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXDR=H，OCH~3，CH~3)。同时，采用循环伏安法对其电? 阅芙辛瞬舛āＵ馊只衔锒荚诟悍较虺鱿至艘欢钥赡娴难趸乖澹纱说玫狡涞缱忧缀褪?EA)分别为-3.10eV，-3.07eV和-3.08eV，其EA值都高于常用? 牡缱哟洳牧螾BD。R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入。并且由时间渡? 椒?TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10^-^4cm^2/V.S(E=10^6V/cm)。所以R-OXD有可能是好的电子传输材料。

关键词: 电子材料, 噻吩P, 恶唑P, 电子迁移率, 电子亲和势

A series of novel oxadiazole dimer derivatives incorporated thiophene ring has been prepared as electron transport layer in organic electronluminescent (OEL) devices. Their structures and properties were confirmed by ^1H NMR, UV and fluorescence spectra. The results of cyclic voltammetry measurements showed that they were good materials for the electron transfer and blue light emission.

Key words: ELECTRONIC MATERIALS, THIOPHENE P, ELECTRON MOBILITY, ELECTRON AFFINITY

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