化学学报 ›› 2023, Vol. 81 ›› Issue (4): 406-419.DOI: 10.6023/A22120513 上一篇 下一篇
综述
宁聪聪a, 杨倩b,*(), 毛阿敏a, 唐梓嘉a, 金燕a, 胡宝山a,*()
投稿日期:
2022-12-28
发布日期:
2023-03-16
作者简介:
宁聪聪, 重庆大学2020级在读硕士生. 2020年毕业于江南大学, 获得学士学位. 主要从事石墨烯纳米带的生长及性质研究, 发表SCI论文1篇. |
杨倩, 博士, 助理研究员, 硕士生导师. 2013年毕业于重庆大学获学士学位, 2018年毕业于重庆大学获博士学位. 2018年~2020年在北京大学化学与分子工程学院从事博士后研究, 2021年加入重庆科技学院工作. 研究方向为二维材料的制备及其应用. 主持国家自然科学基金1项, 发表SCI论文10余篇. |
毛阿敏, 重庆大学2020级在读硕士生. 2020年毕业于重庆大学, 获得学士学位. 主要从事石墨烯的可控制备及性质应用研究. |
唐梓嘉, 重庆大学2021级在读硕士生. 2021年毕业于武汉理工大学, 获得学士学位. 主要从事石墨烯条带的可控制备及其性质研究. |
金燕, 重庆大学化学化工学院实验师, 主要从事石墨烯及其复合材料的控制制备及其应用研究, 发表SCI论文10余篇. |
胡宝山, 重庆大学化学化工学院副院长, 副教授, 重庆市引进高层次人才. 主要研究方向为碳纳米材料控制制备、功能化及其应用. 主持多个国家级和省部级项目, 发表SCI论文50余篇. |
基金资助:
Congcong Ninga, Qian Yangb,*(), Amin Maoa, Zijia Tanga, Yan Jina, Baoshan Hua,*()
Received:
2022-12-28
Published:
2023-03-16
Contact:
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石墨烯纳米带是宽度为纳米尺度的石墨烯条带, 根据其边缘构型的不同可以分为锯齿型石墨烯纳米带和扶手型石墨烯纳米带. 纳米尺度导致的量子限域效应和边缘构型引起的边缘效应能够调节石墨烯纳米带的电子结构, 打开石墨烯的带隙. 而且, 石墨烯纳米带具有极大的长宽比和极高比例的边缘原子, 为通过结构裁剪实现功能定制提供了无限可能. 这些几何和电子结构特性使得石墨烯纳米带在电子器件等诸多领域比石墨烯具有更大的应用潜力, 因此, 石墨烯纳米带的相关研究一直是纳米材料领域的热点. 基于此, 本综述首先介绍了石墨烯纳米带的结构和性质, 全面介绍了石墨烯纳米带的制备方法, 相应的制备方法可以分为两部分: (1)自上而下法: 通过等离子体、离子束、扫描隧道显微镜和金属纳米颗粒对石墨烯和碳纳米管进行刻蚀和切割, 制备石墨烯纳米带. 该方法面临最大挑战在于如何提高刻蚀和切割精度. (2)自下而上法: 利用含碳前驱体, 如有机化合物、碳氢化合物气体以及碳化硅等, 制备石墨烯纳米带. 该方法利于实现原子精度的结构控制, 尤其是化学气相沉积法有望实现低成本、规模化制备. 最后展望石墨烯纳米带研究的挑战和前景. 我们相信, 随着材料和技术的创新发展, 石墨烯纳米带必将成为一种具有巨大应用潜力的新型功能材料.
宁聪聪, 杨倩, 毛阿敏, 唐梓嘉, 金燕, 胡宝山. 石墨烯纳米带的可控制备研究进展[J]. 化学学报, 2023, 81(4): 406-419.
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制备方法 | 优点 | 缺点 | |
---|---|---|---|
切割石墨烯 | 掩模刻蚀法[ | 大面积、可控图案化制备 | 加工精度低、边缘结构不规则、掩模去除困难 |
无掩模刻蚀法[ | 加工精度高、边缘结构可控、制备质量高 | 生产成本高、生产规模小 | |
切割碳纳米管 | 氧化反应切割法[ | 原料成本低 | 提纯工艺复杂 |
纳米粒子切割法[ | 条带缺陷少、边缘平直且洁净 | 切割方向难控制、边缘结构不规则 | |
等离子体切割法[ | 条带宽度低至数十纳米 | 边缘结构不规则 | |
有机合成法 | 真空表面合成法[ | 条带宽度低至数纳米 | 条带较短、对设备要求高、成本高 |
常压表面合成法[ | 效率高、条带宽度窄 | 生产规模小 | |
溶液合成法[ | 反应条件温和、无需贵金属催化剂 | 提纯复杂、产率低、制备过程复杂 | |
SiC外延生长法[ | — | 无需转移、条带质量高 | 生产规模小 |
CVD生长法 | 选区直接生长法[ | 条带质量高、大面积可控制备 | 条带长宽比较小 |
模板生长法[ | 条带较长、质量高 | 条带长宽比较小 | |
限域生长法[ | 条带较长、质量高、可控图案化制备 | 条带宽度控制困难 |
制备方法 | 优点 | 缺点 | |
---|---|---|---|
切割石墨烯 | 掩模刻蚀法[ | 大面积、可控图案化制备 | 加工精度低、边缘结构不规则、掩模去除困难 |
无掩模刻蚀法[ | 加工精度高、边缘结构可控、制备质量高 | 生产成本高、生产规模小 | |
切割碳纳米管 | 氧化反应切割法[ | 原料成本低 | 提纯工艺复杂 |
纳米粒子切割法[ | 条带缺陷少、边缘平直且洁净 | 切割方向难控制、边缘结构不规则 | |
等离子体切割法[ | 条带宽度低至数十纳米 | 边缘结构不规则 | |
有机合成法 | 真空表面合成法[ | 条带宽度低至数纳米 | 条带较短、对设备要求高、成本高 |
常压表面合成法[ | 效率高、条带宽度窄 | 生产规模小 | |
溶液合成法[ | 反应条件温和、无需贵金属催化剂 | 提纯复杂、产率低、制备过程复杂 | |
SiC外延生长法[ | — | 无需转移、条带质量高 | 生产规模小 |
CVD生长法 | 选区直接生长法[ | 条带质量高、大面积可控制备 | 条带长宽比较小 |
模板生长法[ | 条带较长、质量高 | 条带长宽比较小 | |
限域生长法[ | 条带较长、质量高、可控图案化制备 | 条带宽度控制困难 |
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