化学学报 ›› 2006, Vol. 64 ›› Issue (5): 371-374. 上一篇 下一篇
研究论文
朱阳春1,白音孟和1,刘新1,贾翠英1,刘晓阳2,安永林*,1
ZHU Yang-Chun1, BAIYIN Meng-He1, LIU Xin1, JIA Cui-Ying1, LIU Xiao-Yang2, AN Yong-Lin*,1
用溶剂热方法合成了[Me4N]2HgGe4S10, 通过单晶X射线衍射, IR, DSC-TG手段对其进行了表征. 结果表明, 标题化合物属四方晶系, I-4空间群, 晶胞参数a=0.92687(8) nm, c=1.43739(12) nm, V=1.23484(18) nm3, Z=2, Mo Kα λ=0.071073 nm, R1=0.0570, wR2=0.1374, 空旷骨架结构由超四面体Ge4S10与HgS4四面体共用顶点连接而成, 有机模板离子在一维孔道中. 该化合物具有一定的热稳定性, 在320 ℃发生分解形成GeS2.