化学学报 ›› 2007, Vol. 65 ›› Issue (14): 1313-1317. 上一篇 下一篇
研究论文
周德凤*,1, 郭微1, 朱建新1, 郝险峰2, 葛志敏1, 叶俊峰1, 孟健2
ZHOU De-Feng*,1; GUO Wei1; ZHU Jian-Xin1; HAO Xian-Feng2; GE Zhi-Min1; YE Jun-Feng1; MENG Jian2
在Ce5.2Sm0.8-xPrxMoO15-δ体系中引入少量Pr得新氧化物Ce5.2Sm0.72Pr0.08MoO15-δ, 通过X射线衍射(XRD), 拉曼光谱(Raman), X射线光电子能谱(XPS), 场发射扫描电镜(FE-SEM)等手段对氧化物结构进行分析, 交流阻抗谱测试电性能; 讨论掺杂少量Pr对Ce5.2Sm0.8MoO15-δ微观结构和电性能的影响. 结果表明, 少量Pr3+的掺杂可降低晶界电阻, 增加离子扩散通道, 降低体系的总电导激活能和晶界电导激活能, 提高氧化物的总电导率和晶界电导率; 500 ℃时掺Pr材料的晶界电导率为6.79×10-3 S•cm-1, 比未掺Pr材料的晶界电导率(5.61×10-5 S•cm-1)提高约2个数量级.