化学学报 ›› 2011, Vol. 69 ›› Issue (10): 1186-1190. 上一篇 下一篇
研究论文
宋超, 董相廷*, 王进贤, 刘桂霞
SONG Chao, DONG Xiang-Ting, WANG Jin-Xian, LIU Gui-Xia
采用静电纺丝技术, 通过改进实验装置, 成功地制备出了NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆. 采用差热-热重(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行表征, 结果表明, 所得产物为NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆, 内层为NiO, 直径大约为40~50 nm|中间层为SiO2, 厚度大约为40~45 nm|外层为TiO2, 厚度大约为45~50 nm. 对NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆的形成机理进行了讨论.
中图分类号: