化学学报 ›› 2012, Vol. 70 ›› Issue (17): 1831-1838.DOI: 10.6023/A120050230 上一篇 下一篇
研究论文
杜俊玫a, 高保娇a, 黄小卫b, 张永奇b, 王明娟a
Du Junmeia, Gao Baojiaoa, Huang Xiaoweib, Zhang Yongqib, Wang Mingjuana
建立了一种新的离子表面印迹(IIP)方法. 使用偶联剂γ-氨丙基三甲氧基硅烷(AMPS)对微米级硅胶微粒进行表面改性, 制得表面含有氨基的改性硅胶AMPS-SiO2. 凭借离子交换作用, 阳离子单体甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(DMC)结合在模板离子磷酸根周围; 改性硅胶AMPS-SiO2表面的氨基与溶液中的过硫酸盐构成氧化还原引发体系, 使DMC及交联剂N,N'-亚甲基双丙烯酰胺(MBA)在硅胶微粒表面发生接枝交联聚合, 从而实现了磷酸根离子的表面印迹, 制得了阴离子表面印迹材料IIP-PDMC/SiO2. 采用静态与动态两种方法, 考察研究了IIP-PDMC/SiO2对PO43-离子的识别特性与结合性能. 研究结果表明, 离子表面印迹材料IIP-PDMC/SiO2对PO43-离子具有特异的识别选择性与优良的结合亲和性, 相对于对比离子高锰酸根离子, IIP-PDMC/SiO2对PO43-离子的识别选择性系数为9.58.