[1] Moram, M. A.; Vickers, M. E. Rep. Prog. Phys. 2009, 72, 036502.
[2] Wu, J.; Walukiewicz, W.; Yu, K. M.; Ager III, J. W.; Haller, E. E.;Lu, H.; William, J. S.; Metzger, W. K.; Sarah, K. J. Appl. Phys.2003, 94, 6477.
[3] Flack, T. J.; Pushpakaran, B. N.; Bayne, S. B. J. Electron. Ma-ter.2016, 45, 2673.
[4] Florian, C.; Cignani, R.; Santarelli, A.; Filicori, F.; Longo, F. In IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, IEEE,New York, 2013.
[5] Cimalla, V.; Pezoldt, J.; Ambacher, O. J. Phys. D:Appl. Phys. 2007, 40, 6386.
[6] Hou, Y. H.; Zhang, M.; Han, G. W.; Si, C. W.; Zhao, Y. M.; Ning, J. J. Semicod. 2016, 37, 101001.
[7] Zhao, Z. F. Ph. D. Dissertation, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 2016.
[8] Wu, Y. F.; Guerrero, J.; McKay, J.; Smith, K. In IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), IEEE, New York, 2014, pp. 30~32, 13~15.
[9] Avrutin, V.; Silversmith, D. J.; Mori, Y.; Kawamura, F.; Kitaoka, Y.; Morkoc, H. Proc. IEEE. 2010, 98, 1302.
[10] Amano, H.; Sawaki, N.; Akasaki, I.; Toyoda, Y. Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 353.
[11] Nakamura, S. Jpn. J. Appl. Phys., Part 21991, 30, L1705.
[12] Cui, L.; Wang, G. G.; Zhang, H. Y.; Zhou, F. Q.; Han, J. C. J. Inorg. Mater. 2012, 27, 897.
[13] Kato, Y.; Kitamura, S.; Hiramatsu, K.; Sawaki, N. J. Cryst. Growth.1994, 144, 133.
[14] Narukawa, Y.; Ichikawa, M.; Sanga, D.; Sano, M.; Mukai, T. J. Phys. D:Appl. Phys. 2010, 43, 354002.
[15] Wong, Y. Y.; Chiu, Y. S.; Luong, T. T.; Lin, T. M.; Ho, Y. T.; Lin, Y. C.; Chang, E. Y. In Growth and Fabrication of AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate, 10th IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, IEEE, New York, 2012, pp. 729~732.
[16] Chung, K.; Lee, C. H.; Yi, G. C. Science, 2010, 330, 655.
[17] Wong, W. S.; Sands, T.; Cheung, N. W. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 599.
[18] Zang, K. Y.; Cheong, D. W. C.; Liu, H. F.; Liu, H.; Teng, J. H.; Chua, S. J. Nanoscale Res. Lett. 2010, 5, 1051.
[19] Geim, A. K.; Grigorieva, I. V. Nature 2013, 499, 419.
[20] Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieva, I. V.; Firsov, A. A. Science 2004, 306, 666.
[21] Geim, A. K.; Novoselov, K. S. Nat. Mater 2007, 6, 183.
[22] Lin, Y. W.; Guo, X. F. Acta Chim. Sinica 2014, 72, 277(in Chinese). (林源为, 郭雪峰, 化学学报, 2014, 72, 277.)
[23] Hu, H. X.; Hu, Z. G.; Ren, X. Y.; Yang, Y. Y.; Qiang, R. B.; An, N.; Wu, H. Y. Chin. J. Chem. 2015, 33, 199.
[24] Jiang, S. Z.;, Qiu, H. W.; Gao, S. S.; Chen, P. X.; Li, Z.; Yu, K. Y.; Yue, W. W.; Yang, C.; Huo, Y. Y.; Wang, S. Y. Chin. J. Chem. 2016, 34, 1039.
[25] Kim, K. S.; Zhao, Y.; Jang, H.; Lee, S. Y.; Kim, J. M.; Kim, K. S.; Ahn, J. H.; Kim, P.; Choi, J. Y.; Hong, B. H. Nature 2009, 457, 706.
[26] Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.; Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
[27] He, X. X.; Liu, F. C.; Zeng, Q. S.; Liu, Z. Acta Chim. Sinica 2015,73, 924(in Chinese). (何学侠, 刘富才, 曾庆圣, 刘政, 化学学报, 2015, 73, 924.)
[28] Lopez-Sanchez, O.; Lembke, D.; Kayci, M.; Radenovic, A.; Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2013, 8, 497.
[29] Lou, Z.; Liang, Z. Z.; Shen, G. Z. J. Semicond. 2016, 37, 091001.
[30] Schedin, F.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Hill, E. W.; Blake, P.; Katsnelson, M. I.; Novoselov, K. S. Nat. Mater. 2007, 6, 652.
[31] Jiang, S. Z.;, Qiu, H. W.; Gao, S. S.; Chen, P. X.; Li, Z.; Yu, K. Y.; Yue, W. W.; Yang, C.; Huo, Y. Y.; Wang, S. Y. Chin. J. Chem. 2016, 34, 1039.
[32] Li, Y. G.; Wang, H. L.; Xie, L. M.; Liang, Y. Y.; Hong, G. S.; Dai, H. J. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 7296.
[33] Cheng, K.; Leys, M.; Degroote, S.; Daele, B. V.; Boeykens, S.; Derluyn, J.; Germain, M.; Tendeloo, G. V.; Engelen, J.; Borghs, G. J. Electron. Mater. 2006, 35, 592.
[34] Lahreche, H.; Vennegues, P.; Beaumont, B.; Gibart, P. J. Cryst. Growth 1999, 205, 245.
[35] Ueda, T.; Huang, T. F.; Sprutte, S.; Lee, H.; Yuri, M.; Itoh, K.; Baba, T.; Harris, J. S. J. Cryst. Growth, 1998, 187, 340.
[36] Zhang, Y. B.; Tan, Y. W.; Stormer, H. L.; Kim, P. Nature 2005, 438, 201.
[37] Bae, S. K.; Kim, H. K.; Lee, Y. B.; Xu, X. F.; Park, J. S.; Zheng, Y.; Balakrishnan, J.; Tian, L.; Kim, H. R.; Song, Y. II; Kim, Y. J.; Kim, K. S.; Ozyilmaz, B.; Ahn, J. H.; Hong, B. H.; Iijima, S. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 574.
[38] Wu, T. R.; Zhang, X. F.; Yuan, Q. H.; Xue, J. C.; Lu, G. Y.; Liu, Z. H.; Wang, H. S.; Wang, H. M.; Ding, F.; Yu, Q. K.; Xie, X. M.; Jiang, M. H. Nat. Mater. 2016, 15, 43.
[39] Rana, K.; Singh, J.; Ahn, J. H. J. Mater. Chem. C 2014, 2, 2646.
[40] Hiroki, M.; Kumakura, K.; Kobayashi, Y.; Akasaka, T.; Makimoto, T.; Yamamoto, H. Appl, Phys. Lett. 2014, 105, 193509.
[41] Choi, J. K.; Huh, J. H.; Kim, S. D.; Moon, D.; Yoon, D.; Joo, K.; Kwak, J.; Chu, J. H.; Kim, S. Y.; Park, K.; Kim, Y. W.; Yoon, E.; Cheong, H.; Kwon, S. Y. Nanotechnology 2012, 43, 435603.
[42] Kwak, J.; Chu, J. H.; Choi, J. K.; Park, S. D.; Go, H.; Kim, S. Y.;Park, K.; Kim, S. D.; Kim, Y. W.; Yoon, E.; Kodambaka, S.; Kwon, S. Y. Nat. Commun. 2012, 3, 645.
[43] Gupta, P.; Rahman, A. A.; Hatui, N.; Gokhale, M. R.; Deshmukh, M. M.; Bhattacharya, A. J. Cryst. Growth 2013, 372, 105.
[44] Gupta, P.; Rahman, A. A.; Hatui, N.; Parmar, J. B.; Chalke, B. A.; Bapat, R. D.; Purandare, S. C.; Deshmukh, M. M.; Bhattacharya, A. Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 181108.
[45] Araki, T.; Uchimura, S.; Sakaguchi, J.; Nanishi, Y.; Fujishima, T.; Hsu, A.; Kim, K. K.; Palacios, T.; Pesquera, A.; Centeno, A.;Zurutuza, A. Appl. Phys. Express 2014, 7, 071001.
[46] Kim, J.; Bayram, C.; Park, H.; Cheng, C. W.; Dimitrakopoulos, C.; Ott, J. A.; Reuter, K. B.; Bedell, S. W.; Sadana, D. K. Nat. Commun. 2014, 5, 4836.
[47] Han, N.; Cuong, T. V.; Han, M.; Ryu, B. D.; Chandramohan, S.; Park, J. B.; Kang, J. H.; Park, Y. J.; Ko, K. B.; Kim, H. Y.; Kim, H. K.; Ryu, J. H.; Katharria, Y. S.; Choi, C. J.; Hong, C. H. Nat. Commun.2013, 4, 1452.
[48] Yang, H.; Li, J. L.; Jia, R. F.; Yang, L. L.; Li, L. RSC Adv. 2016, 6, 43874.
[49] Zhang, L.; Li, X. L.; Shao, Y. L.; Yu, J. X.; Hao, X. P.; Yin, Z. M.; Dai, Y. B.; Tian, Y.; Huo, Q.; Shen, Y. N.; Hua, Z.; Zhang, B. G. ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 4504.
[50] Zeng, Q.; Chen, Z. L.; Zhao, Y.; Wei, T. B.; Chen, X.; Zhang, Y.; Yuan, G. D.; Li, J. M. Jpn. J. Appl. Phys. 2016, 55, 085501.
[51] Yoo, H.; Chung, K.; Choi, Y. S.; Kang, C. S.; Oh, K. H.; Kim, M.; Yi, G. C. Adv. Mater. 2012, 24, 515.
[52] Chung, K.; Park, S. I.; Baek, H.; Chung, J. S.; Yi, G. C. Npg Asia Mater. 2012, 4, e24.
[53] Baek, H.; Lee, C. H.; Chung, K.; Yi, G. C. Nano Lett. 2013, 13, 2782.
[54] Kim, Y. J.; Yoo, H.; Lee, C. H.; Park, J. B.; Baek, H.; Kim, M.; Yi, G. C. Adv. Mater. 2012, 24, 5565.
[55] Nepal, N.; Wheeler, V. D.; Anderson, T. J.; Kub, F. J.; Masro, M. A.; Myers-Ward, R. L.; Qadri, S. B.; Freitas, J. A.; Hernandes, S. C.; Nyakiti, L. O.; Walton, S. G.; Gaskill, K.; Eddv, C. R. Appl. Phys. Express 2013, 6, 061003.
[56] Chae, S. J.; Kim, Y. H.; Seo, T. H.; Duong, D. L.; Lee, S. M.; Park, M. H.; Kim, E. S.; Bae, J. J.; Lee, S. Y.; Jeong, H.; Suh, E. K.; Yang, C. W.; Jeong, M. S.; Lee, Y. H. RSC Adv. 2015, 5, 1343.
[57] Heilmann, M.; Sarau, G.; Gobelt, M.; Latzel, M.; Sadhujan, S.; Tessarek, C.; Christiansen, S. Cryst. Growth Des. 2015, 15, 2079.
[58] Seo, T. H.; Park, A. H.; Park, S.; Kim, Y. H.; Lee, G. H.; Kim, M. J.; Jeong, M. S.; Lee, Y. H.; Hahn, Y. B.; Suh, E. K. Sci. Rep. 2015, 5, 7747.
[59] Puybaret, R.; Patriarche, G.; Jordan, M. B.; Sundaram, S.; El Gmili, Y.; Salvestrini, J. P.; Voss, P. L.; de Heer, W. A.; Berger, C.; Ougazzaden, A. Appl. Phys. Lett. 2015, 108, 103105.
[60] Pacile, D.; Meyer, J. C.; Girit, C. O.; Zettl, A. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 133107.
[61] Wu, C. P.; Soomro, A. M.; Sun, F. P.; Wang, H. C.; Liu, C.; Yang, X. D.; Kang, J. Y.; Cai, D. J. Phys. Status Solidi B 2016, 253, 829.
[62] Kobayashi, Y.; Kumakura, K.; Akasaka, T.; Makimoto, T. Nature, 2012, 484, 223.
[63] Wang, H.; Zhang, X.; Liu, H.; Yin, Z.; Meng, J.; Xia, J.; Meng, X. M.; Wu, J.; You, J. Adv. Mater. 2015, 27, 8109.
[64] Ayari, T.; Sundaram, S.; Li, X.; El Gmili, Y.; Voss, P. L.; Sal-vestrini, J. P.; Ougazzaden, A. Appl. Phys. Lett. 2016, 108, 171106.
[65] Hiroki, M.; Kumakura, K.; Yamamoto, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2016, 55, 05FH07.
[66] Yamada, A.; Ho, K. P.; Maruyama, T.; Akimoto, K. Appl. Phys. A:Mater. Sci. & Process 1999, 69, 89.
[67] Yamada, A.; Ho, K. P.; Akaogi, T.; Maruyama, T.; Akimoto, K. J. Cryst. Growth 1999, 201, 332.
[68] Gupta, P.; Rahman, A. A.; Subramanian, S.; Gupta, S.; Tham-izhavel, A.; Orlova, T.; Rouvimov, S.; Protasenko, V.; Laskar, M. R.; Xing, H. G.; Jena, D.; Bhattacharya, A. Sci. Rep. 2016, 6, 23708.
[69] Xu, G. C.; Lu, Z. X.; Zhang, Q.; Qiu, H. L.; Jiao, L. Y. Acta Chim. Sinica 2015, 73, 895(in Chinese). (许冠辰, 卢至行, 张琪, 邱海龙, 焦丽颖, 化学学报, 2015, 73, 895.) |