化学学报 ›› 2006, Vol. 64 ›› Issue (19): 1974-1980. 上一篇 下一篇
研究论文
耿志远*, 贾宝丽, 王永成, 姚琨, 方冉, 张兴辉
GENG Zhi-Yuan*; JIA Bao-Li; WANG Yong-Cheng; YAO Kun; FANG Ran; ZHANG Xing-Hui
用密度泛函理论(DFT), 在B3LYP/6-31+G(d, p)水平上研究了取代基对二取代锗烯R2Ge=CH2和R2C=GeH2 [R=H, OH, NH2, SH, PH2, F, Cl, Br, (NHCH)2, CH3, (CH)2]的影响. 研究发现π供电子取代基在碳上时更能引起分子结构在锗端的锥型化. 碳原子上的π电子给予取代基的给电子效应越强, R2C的单-三态能量差越大, π电子的反极化效应就越强, 使得化合物的结构在锗端发生的弯曲越明显, 从而使得弯曲结构更稳定. 和前人的计算相比, 碳上的给电子取代基对GeH2结构影响大于它对SiH2的影响.