化学学报 ›› 2007, Vol. 65 ›› Issue (14): 1305-1312. 上一篇 下一篇
研究论文
秦改萍1, 蔡亚萍1, 邢伯蕾1, 李奕1,2, 章永凡*,1,2, 李俊篯1,2
QIN Gai-Ping1; CAI Ya-Ping1; XING Bo-Lei1; LI Yi1,2; ZHANG Yong-Fan*,1,2; LI Jun-Qian1,2
采用基于第一性原理的密度泛函理论和平板模型对Si(100)表面吸附乙炔和乙烯分子的构型稳定性以及电子结构进行系统研究. 结果表明: 无论是吸附乙炔还是乙烯分子, 当覆盖度为0.5 ML时, 最为稳定的吸附方式为dimerized模型; 当覆盖度增大到1.0 ML时, end-bridge模型为最稳定的吸附方式. 通过对各吸附模型的能带结构分析可知, 体系的带隙变化可以通过考察表层Si—Si二聚体中Si原子的配位环境来确定. 对于相同的吸附模型, 无论吸附分子是乙炔还是乙烯, 都具有非常相近的带隙. 吸附构型以及吸附分子的覆盖度对最小带隙及其来源有较大影响. 此外, 研究结果还表明, 杂化密度泛函方法更适合于描述Si(100)表面的电子结构, 尤其是对end-bridge吸附模型.