化学学报 ›› 2011, Vol. 69 ›› Issue (20): 2471-2478. 上一篇 下一篇
研究论文
宋超,董相廷*,王进贤,刘桂霞
SONG Chao, DONG Xiang-Ting, WANG Jin-Xian, LIU Gui-Xia
采用静电纺丝技术, 通过改进实验装置, 在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@[Zn(CH3COO)2+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆, 将其进行热处理, 制备出NiO@ SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆. 采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征. 结果表明, 所得产物为同轴四层纳米电缆, 芯层为NiO, 直径为35~55 nm|第二层为SnO2, 厚度为30~50 nm|第三层为Zn2TiO4, 厚度为25~40 nm|壳层为TiO2, 厚度为40~90 nm. 对同轴四层纳米电缆的形成机理进行了探讨.
中图分类号: