化学学报 ›› 2022, Vol. 80 ›› Issue (6): 797-804.DOI: 10.6023/A21120605 上一篇 下一篇
所属专题: 中国科学院青年创新促进会合辑
研究评论
投稿日期:
2021-12-30
发布日期:
2022-07-07
通讯作者:
薛丁江
作者简介:
闫彬, 北京工业大学材料与制造学部在读博士生, 2021年进入中国科学院化学研究所胡劲松研究员和薛丁江研究员团队联合培养. 研究方向为无机薄膜太阳能电池. |
薛丁江, 中国科学院化学研究所研究员. 研究方向为无机薄膜太阳能电池, 具体包括GeSe、GeS及无机钙钛矿薄膜太阳能电池. |
胡劲松, 中国科学院化学研究所研究员. 主要从事氢能非贵金属电催化和低成本薄膜太阳能电池研究. |
基金资助:
Bin Yan, Ding-Jiang Xue(), Jin-Song Hu
Received:
2021-12-30
Published:
2022-07-07
Contact:
Ding-Jiang Xue
About author:
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硒化亚锗(GeSe)禁带宽度合适(≈1.14 eV), 吸光系数大(>105 cm-1), 迁移率高(128.7 cm2•V–1•s–1), 价带顶中包含反键轨道赋予了其本征缺陷良性, 理论光电转换效率可达30%以上, 适合于制作高效薄膜太阳能电池; 同时GeSe具有毒性低、储量丰富、组分简单及稳定性强等优点, 还易于通过低成本的升华法进行薄膜制备, 从而在大规模应用方面具有巨大潜力. 以GeSe为研究对象, 介绍了GeSe基本性质, 总结了GeSe薄膜制备研究进展, 阐述了GeSe薄膜太阳能电池研究现状, 并展望了其今后发展方向与趋势.
闫彬, 薛丁江, 胡劲松. 硒化亚锗薄膜太阳能电池研究进展※[J]. 化学学报, 2022, 80(6): 797-804.
Bin Yan, Ding-Jiang Xue, Jin-Song Hu. Recent Progress in GeSe Thin-Film Solar Cells※[J]. Acta Chimica Sinica, 2022, 80(6): 797-804.
性质 | 性能 | 参考文献 |
---|---|---|
空间群 | Pnma 62 | [ |
密度/(g•cm-3) | 5.56 | [ |
熔点/℃ | 670 | [ |
折射率 | 4 | [ |
相对介电常数 | 15.3 | [ |
禁带宽度/eV | 1.14 | [ |
吸收系数/cm–1 | 105 | [ |
空穴浓度/cm–3 空穴迁移率/(cm2•V–1•s–1) | 6.2×1014 10.4, 12.7 | [ [ |
电子迁移率/(cm2•V–1•s–1) 电阻率/(Ω•cm) | 11.2 78.2 | [ [ |
少子寿命/ns | 9.9 | [ |
扩散长度/nm | 531 | [ |
性质 | 性能 | 参考文献 |
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空间群 | Pnma 62 | [ |
密度/(g•cm-3) | 5.56 | [ |
熔点/℃ | 670 | [ |
折射率 | 4 | [ |
相对介电常数 | 15.3 | [ |
禁带宽度/eV | 1.14 | [ |
吸收系数/cm–1 | 105 | [ |
空穴浓度/cm–3 空穴迁移率/(cm2•V–1•s–1) | 6.2×1014 10.4, 12.7 | [ [ |
电子迁移率/(cm2•V–1•s–1) 电阻率/(Ω•cm) | 11.2 78.2 | [ [ |
少子寿命/ns | 9.9 | [ |
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